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半導体エッチングプロセス

半導体エッチングプロセス

エッチングの「終点」を原子レベルで見極める。

ナノスケールの微細加工において、エッチングプロセスの成否は製品の性能を直接左右します。
ASTONは、複雑に変化するプラズマの状態をリアルタイムに分子レベルで解析し、時間や経験則に頼らない、データに基づいた精密なプロセス制御を実現します。

エッチングの「終点」を原子レベルで見極める。
  1. 1. 正確な終点検知

    エッチング中に発生する特定物質の微量な変化を捉え、積層膜の境界を原子レベルの精度で検知。オーバーエッチングやアンダーエッチングを根絶し、理想的な加工を実現します。

  2. 2. プロセスの安定性をリアルタイムで監視

    プラズマの化学反応を常に監視し、プロセスが安定しているかを「見える化」。レシピの再現性を高め、製品ごとの品質のバラツキを徹底的に抑制します。

  3. 3. 異常の早期発見とトラブルの未然防止

    ガスの流量異常やチャンバー内の汚染など、プロセスに影響を与える異常の兆候を瞬時に検知。重大な欠陥や装置のダウンタイムにつながる前に問題を解決します。

「プロセスの完全な可視化」が、次世代半導体の開発期間短縮と量産における高い歩留まりを両立し、お客様の技術的優位性を確立します。

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