空間 ALD は、ゲートアラウンド FET、高アスペクト比コンタクト、DRAM キャパシタ、先端 NVM 技術、さらには自己整合ダブルパターニング (SADP) リソグラフィーに見られる高度なメモリおよびロジック選択処理用薄膜の成膜に不可欠な技術として台頭しています。 空間 ALD は、低温・低真空または無真空のプロセスチャンバーを用いて、高スループットで高コンフォーマルの薄膜を形成することが期待されています。 しかし、空間ALDには課題があり、ガス混合、プラットフォーム回転速度の最適化、ガスパージフローの最適化、反応ガスの濃度変化、安全性の考慮などが、プロセスエンジニアが最適化に取り組んでいる課題の一部です。 本セミナーでは、AtonarpのAston in-situ metrologyソリューションを紹介し、これらの課題に対処するために空間ALDのOEM企業数社が採用している、その主要な差別化ポイントについて説明します。

‍何を学ぶか

空間的ALDの利点と課題
空間ALD計測ソリューションにおいて、なぜスピード、感度、ロバスト性が重要なのか？
Aston ImpactとPlasmaの計測ソリューションと、空間ALDアプリケーションにおける重要なin-situプロセス制御計測として使用されるに至った差別化。
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